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供需關系與價格

自2018年以來，受各大廠商3DNAND產能釋放影響，大容量NAND價格一路跳水，跌幅達50%左右，近乎回到兩年前水平。

供給過剩是價格下跌的一方面因素，而另一方面，是因3DNAND技術的成熟導致TLC型顆粒穩定性上升，大容量芯片成本明顯降低導致。

相比之下，SLC、小容量產品價格跌幅不明顯，原因在于SLC的應用場景較特殊，受眾小，客戶需求相對穩定。

市場目前對于NAND市場供過于求表示出強烈的擔憂，但我們認為雖然行業將進入下行周期，但這種擔憂可能略微過度。

從投片情況來看，2018年全年新擴充的產能有限。

根據IDC的數據，到2019年NAND供給只處于略微失衡的狀態，在3Q18缺口最大，供應充足率為3.2%左右。

此外，低價對行業來說不一定全是利空:低價存儲器本身對市場需求也能構成一定刺激，這也同樣驗證了近期在價格下跌周期內，存儲廠商收入因需求擴大未見萎縮的邏輯。

三星、東芝/西部數據的QLC閃存于2018年下半年已經陸續出樣，樂觀來看，年底可能會有QLC硬盤商業化，但大規模量產上市應該還需到2019年甚至更晚。

等QLC普及后，對大容量3DNAND存儲價格仍有一定沖擊。NAND價格隨著技術迭代，越來越便宜是整體趨勢，但需求擴大也會在一定程度上對價格下跌形成抵消。

我們認為，到2020年前后，NAND市場規模將會趨于穩定。

NOR:近五年來市場整體萎縮，技術升級有望注入新活力

市場規模及競爭格局

2017年NORFlash市場規模達23億美元，同比增長24.8%。過去五年來看，整體NORFlash市場呈萎縮趨勢，原因在于:1)智能手機逐步替換功能手機，對NOR的需求減少;2)部分高容量產品轉而由SLCNand取代。

但Nor市場規模從2016年開始相對穩定，終止下跌趨勢，我們認為主要是由于下游新增應用需求，來自:1)智能手機中TDDI以及AMOLED;2)物聯網;3)汽車電子。

競爭格局上來看，2017年旺宏在NOR市場的份額位居第一，達26%左右。

Cypress位列其次，我國的兆易創新在2017年市占率達8.2%，排名第五位。而從供給端來看，因為利潤率不及其他業務原因，Cypress和鎂光都在相繼縮減產能。

Cypress逐步退出中低容量市場，未來專注于汽車、工業控制等應用的高容量產品，而鎂光選擇淡出利基型閃存市場，未來更專注于DRAM和NAND生產。積極擴大產能的兆易創新，在未來有望市占率達20%，躋身世界前三。

未來發展趨勢

智能手機中TDDI以及AMOLED滲透率的增加，為NOR帶來新的市場需求。TDDI是將智能手機的觸控與顯示驅動集成在一起，整合進單一芯片中。

由于TDDI芯片較為復雜，需要更多的容量來存儲分位編碼，需要新增一顆NORFlash芯片，因此對NOR的需求有所增加。

根據我們的預估，2018年TDDI滲透率將達到25%，以對應4-16MB的NORFlash測算，帶來7,700萬美元的市場容量。

同樣，AMOLED面板的滲透也是另一大動因。由于AMOLED面板技術門檻較高，目前仍受到亮度均勻性和殘像等技術制約，良率無法迅速提升，因此需要進行光學補償。

光學補償相關編碼較為復雜，無法整合進驅動芯片中，因此需要新增一顆NORFlash芯片來進行存儲，iHS預計2018年AMOLED滲透率為30.0%，以對應8-32MB的NORFlash測算，帶來1.3億美元的市場容量。

中國的機會與挑戰:本土需求強勁，技術資本開支巨大影響前期利潤

雖然中國是全球最大的存儲器消費市場之一，但由于過去產業基礎薄弱。發展存儲器需要在專利技術，人才，資本等多個方面補齊短板。

目前一般采取的方法是通過擁有技術的半導體企業與有資金的地方政府和半導體大基金合作的形式進行推進。

中國主要的存儲器項目包括(1)紫光集團與武漢，南京及成都合作展開的NAND與DRAM項目。(2)兆易創新與合肥合作的DRAM項目。(3)聯電與福建省合作的存儲器項目。

技術差距

DRAM:為了獲得更快的速度與更低的能耗，DRAM隨摩爾定律的發展一步一步縮小自身尺寸，若采用EUV光刻，制程可微縮至10nm量級。目前，行業前三甲三星、SK海力士及鎂光都處于完成1Xnm制程轉換或在轉換過程中的階段。具體情況為:

? 三星技術明顯領先，目前已有較高的1Xnm制程收入占比，并積極推進1Ynm制程轉入進度。平澤廠計劃于2019年開始量產10nmLPDDR5芯片。

? 鎂光方面，原瑞晶部分已于今年二季度實現到1Xnm的全部轉換，并計劃于明年轉向1Znm，而原華亞科部分仍在向1Xnm制程的轉換當中。

? SK海力士已于2017年開始向M14廠一期產線及無錫廠開始導入1Xnm制程，但由于技術壁壘較高，2018上半年良率不達預期，LPDDR4產能仍然有限。

我國的福建晉華目前僅專注于利基型DRAM的制造，技術相對落后，首先導入的產品為25nmDRAM存儲器，制程上大概落后三星3代左右。

合肥長鑫將從19nm(1X)制程切入市場，我們預計2020年可開始大規模量產產品。到2019年底，公司產能將達到2萬片/月。大概落后三星2-3年。

NAND:由于平面微縮極限的到來，NAND存儲器轉向3D結構發展。

堆疊層數增多不僅增大容量，更因為絕緣材料及空間結構變化解放了TLC技術的可靠性和壽命問題，使QLC成為可能。這一演進，大大降低了單位GB成本。

3DNAND方面，目前64層產品已經在各大境外廠商中普及，全球3DNAND的出貨量占比已經達到1/4有余。今年7月三星96層TLCV-NAND開始量產，在競爭中領先將于今年更晚時間量產96層3DNAND的東芝/西數和鎂光。

我國長江存儲(YMTC)自主研發的32層3D-NAND產品將于年底量產出貨，其今年剛發布了Xtacking技術，將幫助NAND存儲器實現與DDR4內存I/O速度，及更大的堆疊密度，并將用于明年量產的64層3D-NAND產品中。

大體來看，技術相媲美的上落后全球大廠3年左右的時間。

資金投入

存儲器是典型的資本密集型行業。如我們先前所述，為了獲得制程的領先及規模帶來的低成本優勢，各廠商不得不采用IDM模式或虛擬IDM模式來經營，并且在適當時點上不遺余力投資。

隨著先進制程成本的增加，有擴產計劃的廠商資本開支明顯加大。目前市占率較高的三星、鎂光、SK海力士及東芝在存儲器上的年資本支出均超過50億美金。

我國的紫光集團(南京+成都+武漢)、合肥睿力及福建晉華的總投資分別達到780億美元，72億美元及53億美元，數額巨大。

事實上中國巨額的投入也間接促進了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達到200億美金，因此，我國廠商的數字分攤到每年，還難以和龍頭廠商相比。

雖然在量產初期，如此巨大的資本開支也會給中國企業帶來不小的折舊壓力，下行周期中技術、管理略遜的中國企業可能必須經歷幾年內虧損，但若想實現存儲器的國產替代，這種投入十分必要。