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（文/觀察者網 呂棟）“中國的創新與設計能力正以高速趕上世界領先水平。為充分利用中國市場的增長潛力，該集團計劃繼續深化與中國客戶的合作。”3月31日晚，芯片制造商中芯國際（00981.HK）在2019年財報中提到。

財報援引IHS Markit數據顯示，中國集成電路設計市場2019年規模約400億美元，并將在2023年達到860億美元，年復合增長率超21%。

去年，中芯國際中國業務的營收占比達到59.5%。觀察者網注意到，盡管總收入下降7.3%，但基于其在華的戰略位置，該公司順勢將2020年的增長率目標定為11%至19%，并計劃將毛利率維持在20%，保持盈利。

圖源：視覺中國

值得一提的是，在工藝制程方面，中芯國際14nm已貢獻營收的1%；N+1的研發進程穩定，已進入客戶導入及產品認證階段。后者也被外界認為相當于臺積電的第一代7nm工藝。

市場角逐上，觀察者網1月報道，中芯國際已經“擠走”臺積電，奪得華為旗下芯片企業海思半導體的14nm FinFET工藝芯片代工訂單。

財報截圖

“7nm”已進入客戶導入

“2019年，全球宏觀形勢出現了許多不確定性。”財報《致股東的信》開篇提到。而在對2020年展望中，中芯國際指出，新冠病毒疫情給2020年的開始蒙上一層陰影，“然而我們相信，展望未來，中國將繼續擴大其于半導體業中的角色”。

財報披露，在經營環境挑戰頗大的情況下，2019年實現營收31.2億美元，同比下降7.3%；實現凈利潤2.35億美元，同比增長75%；當期毛利率為20.6%，比上年同期下降1.6個百分點；另外，年內經營活動所得現金為10.2億美元，同比增長27.5%。

財報截圖

研發方面，中芯國際2019年的研發投入為再創新高的6.9億美元，同比增長4.5%，占營收比例約22%。

中芯國際在財報中表示：當年在先進制程研發取得突破性進展。第一代14nm FinFET技術已進入量產，上季度貢獻約1%的收入，預計在2020年穩健上量；第二代FinFET技術平臺持續客戶導入。

財報中透露，中芯國際更先進的FinFET技術開發進展速度加快。其開發了14/12nm 多種特色工藝平臺，N+1的研發進程穩定，已進入客戶導入及產品認證階段。

值得注意的是，N+1被外界認為就是中芯國際的7nm工藝。

福布斯中文網3月11日的報道就指出，中芯國際的7nm工藝發展跟臺積電的路線差不多，7nm節點一共發展了三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7+。

其中，N+1對應的就是低功耗的N7，N+2對應的就是高性能的N7P。

2月14日，在中芯國際2019第四季度電話財報會議中，其聯合CEO梁孟松博士透露，N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

“所以在功率和穩定性方面，N+1和7nm工藝非常相似，唯一區別在于性能方面，N+1工藝提升較小，市場基準性能提升應該是35%。所以，中芯國際的N+1工藝是面向低功耗應用領域的。”他當時說。

2018年5月，中芯國際曾向荷蘭阿斯麥爾（ASML）訂購一臺最新型的EUV光刻機，價值高達1.5億美元，原計劃在2019年初交付。在美國方面阻擾之下，這項交易至今仍未完成。

因此，也有人質疑沒有EUV光刻機，中芯國際就無法實現下一代制程研發。

不過，梁孟松在上述財報會議中，當下的計劃中，N+1和N+2工藝都不會使用EUV設備，等到設備就緒以后，N+2才會轉而使用EUV設備。

上述報道中提到，中芯國際計劃于今年四季度進行“FinFET 7nm”的初始生產。如果“7nm”工藝到年底順利實現量產，這意味著中芯國際與臺積電的工藝差距進一步縮小，后者已于兩年前實現7nm的量產。

而在3月初，英特爾首席財務官George Davis對投資者承認其已經落后于競爭對手，要趕上至少需要2年。英特爾的10nm一直“難產”，計劃將于2021年推出7nm工藝，5nm工藝還未明確推出時間。

也就是說，中芯國際有望領先英特爾。

財報截圖